Microsemi Corporation - JAN1N6076

KEY Part #: K6449579

JAN1N6076 ფასები (აშშ დოლარი) [4394ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.90511
  • 100 pcs$9.85583

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N6076
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 1.3A 50V ULTRAFAST RECT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6076 electronic components. JAN1N6076 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6076, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6076 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N6076
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/503
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.76V @ 18.8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : E, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E-PAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 155°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.