IXYS - IXTH110N10L2

KEY Part #: K6399506

IXTH110N10L2 ფასები (აშშ დოლარი) [6911ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.55762
  • 10 pcs$5.96267
  • 100 pcs$5.06827
  • 500 pcs$4.32294

Ნაწილი ნომერი:
IXTH110N10L2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTH110N10L2 electronic components. IXTH110N10L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH110N10L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH110N10L2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTH110N10L2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
სერიები : Linear L2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 10500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 600W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.