Taiwan Semiconductor Corporation - ES1DL M2G

KEY Part #: K6434050

ES1DL M2G ფასები (აშშ დოლარი) [1375314ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02689

Ნაწილი ნომერი:
ES1DL M2G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA. Rectifiers 35ns 1A 200V Sp Fst Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL M2G electronic components. ES1DL M2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1DL M2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1DL M2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ES1DL M2G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBD1501-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600mA 180V

  • MMBD4448-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • BAS21WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V

  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-1N3624R

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM

  • SS1FL3HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified