SMC Diode Solutions - GBU610GTB

KEY Part #: K6540475

GBU610GTB ფასები (აშშ დოლარი) [101653ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34804
  • 10 pcs$0.30493
  • 25 pcs$0.26989
  • 100 pcs$0.23509
  • 250 pcs$0.20462
  • 500 pcs$0.17414
  • 1,000 pcs$0.13931
  • 2,500 pcs$0.12625
  • 5,000 pcs$0.11754

Ნაწილი ნომერი:
GBU610GTB
მწარმოებელი:
SMC Diode Solutions
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in SMC Diode Solutions GBU610GTB electronic components. GBU610GTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU610GTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU610GTB პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBU610GTB
მწარმოებელი : SMC Diode Solutions
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 6A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-ESIP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif