Ნაწილი ნომერი :
IPN70R2K1CEATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
750V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
7.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
163pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-SOT223
პაკეტი / საქმე :
SOT-223-3