Winbond Electronics - W949D6DBHX5E TR

KEY Part #: K941549

W949D6DBHX5E TR ფასები (აშშ დოლარი) [37564ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.41272
  • 2,500 pcs$1.40569

Ნაწილი ნომერი:
W949D6DBHX5E TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ and PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W949D6DBHX5E TR electronic components. W949D6DBHX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D6DBHX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D6DBHX5E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W949D6DBHX5E TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-VFBGA (8x9)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • N01S830BAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • N01S830HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB 3.V HOLD FNC, TSSOP

  • N01S818HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

  • SST26VF064B-104V/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C