Vishay Semiconductor Diodes Division - S3BHE3_A/H

KEY Part #: K6445104

S3BHE3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [363076ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10187
  • 1,700 pcs$0.07483

Ნაწილი ნომერი:
S3BHE3_A/H
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 100V 100A@8.3ms Single Die Auto
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3BHE3_A/H electronic components. S3BHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3BHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3BHE3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S3BHE3_A/H
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.15V @ 2.5A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AB, SMC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AB (SMC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-50WQ06FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-8ETX06SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK.

  • VS-1N5817

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL.

  • DSR01S30SC(TPL3)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2.

  • 12TQ150

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AC.

  • SCS108AGC

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A