Ნაწილი ნომერი :
DMP21D0UFB-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
770mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
1.5nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
76.5pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
430mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
3-DFN1006 (1.0x0.6)