Micron Technology Inc. - MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR

KEY Part #: K939936

MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR ფასები (აშშ დოლარი) [27388ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.90075
  • 4,000 pcs$1.89129

Ნაწილი ნომერი:
MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 128MX4 WPDFN
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - თერმული მენეჯმენტი, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, IC ჩიპები, ლოგიკა - ლატჩები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი and PMIC - დრაივერების ჩვენება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR electronic components. MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 133MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 8ms, 2.8ms
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 2V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-WDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-WPDFN (6x8) (MLP8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit