Vishay Siliconix - IRF820ASPBF

KEY Part #: K6399909

IRF820ASPBF ფასები (აშშ დოლარი) [48708ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.78185
  • 10 pcs$0.69279
  • 100 pcs$0.54763
  • 500 pcs$0.42468
  • 1,000 pcs$0.31715

Ნაწილი ნომერი:
IRF820ASPBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRF820ASPBF electronic components. IRF820ASPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF820ASPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF820ASPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF820ASPBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 340pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.