PMEG2010BELD,315 ფასები (აშშ დოლარი) [1771238ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.04248
- 10,000 pcs$0.04227
- 30,000 pcs$0.03877
- 50,000 pcs$0.03731
- Ნაწილი ნომერი:
- PMEG2010BELD,315
- მწარმოებელი:
- Nexperia USA Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882. Schottky Diodes & Rectifiers 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010BELD,315 electronic components. PMEG2010BELD,315 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010BELD,315, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG2010BELD,315 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
PMEG2010BELD,315
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
20V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
490mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.6ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
200µA @ 20V
Capacitance @ Vr, F :
40pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-882
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DFN1006-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置