Vishay Semiconductor Diodes Division - AU2PJ-M3/86A

KEY Part #: K6449100

AU2PJ-M3/86A ფასები (აშშ დოლარი) [268970ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13752
  • 1,500 pcs$0.12624
  • 3,000 pcs$0.11441
  • 7,500 pcs$0.10652
  • 10,500 pcs$0.10520

Ნაწილი ნომერი:
AU2PJ-M3/86A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A 600V Ultrafast
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AU2PJ-M3/86A electronic components. AU2PJ-M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AU2PJ-M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AU2PJ-M3/86A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AU2PJ-M3/86A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A
სერიები : eSMP®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.6A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.9V @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 42pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS196(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X209K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • CDBFN140-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323.

  • RB751V-40

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=30V, IO=0.3A

  • CMDD2004 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW

  • CMDD6263 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323.