IXYS - IXFT60N65X2HV

KEY Part #: K6395116

IXFT60N65X2HV ფასები (აშშ დოლარი) [11696ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.52340

Ნაწილი ნომერი:
IXFT60N65X2HV
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT60N65X2HV electronic components. IXFT60N65X2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT60N65X2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT60N65X2HV პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT60N65X2HV
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6300pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 780W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268HV
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ