Infineon Technologies - BSC020N025S G

KEY Part #: K6409368

[306ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BSC020N025S G
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BSC020N025S G electronic components. BSC020N025S G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC020N025S G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC020N025S G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BSC020N025S G
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta), 100A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 110µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 66nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8290pF @ 15V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TDSON-8
    პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 2N7000G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BS170P

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FQN1N50CBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.

    • BS107ARL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • BS107ARL1

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • 2N7000RLRPG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.