მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Ta), 70A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
52nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2785pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.1W (Ta), 107W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263 (D²Pak)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB