თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. TC58CVG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc. - TC58CVG1S3HRAIG

KEY Part #: K937048

TC58CVG1S3HRAIG ფასები (აშშ დოლარი) [15801ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.89981
Ნაწილი ნომერი:
TC58CVG1S3HRAIG
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm Serial NAND
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, საათი / დრო - IC ბატარეები, მეხსიერება - ბატარეები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები and ლოგიკა - ლატჩები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG1S3HRAIG electronic components. TC58CVG1S3HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG1S3HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58CVG1S3HRAIG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TC58CVG1S3HRAIG
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : 104MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-WSON (6x8)

Უახლესი ცნობები

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

ცხელი ნაწილები