Renesas Electronics America - RJU4352SDPE-00#J3

KEY Part #: K6442359

[3160ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RJU4352SDPE-00#J3
    მწარმოებელი:
    Renesas Electronics America
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/25ns Trr/LDPAK(S)-(1)
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Renesas Electronics America RJU4352SDPE-00#J3 electronic components. RJU4352SDPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU4352SDPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU4352SDPE-00#J3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RJU4352SDPE-00#J3
    მწარმოებელი : Renesas Electronics America
    აღწერა : DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 430V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 20A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 430V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SC-83
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 4-LDPAK
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA