Infineon Technologies - IPB034N06L3GATMA1

KEY Part #: K6399825

IPB034N06L3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [114406ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.32330

Ნაწილი ნომერი:
IPB034N06L3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB034N06L3GATMA1 electronic components. IPB034N06L3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB034N06L3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB034N06L3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB034N06L3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 93µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 79nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13000pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.

  • IRFI644GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP.