Toshiba Semiconductor and Storage - CMS14(TE12L,Q,M)

KEY Part #: K6438521

CMS14(TE12L,Q,M) ფასები (აშშ დოლარი) [424325ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09198
  • 3,000 pcs$0.09153

Ნაწილი ნომერი:
CMS14(TE12L,Q,M)
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 60V 2A MFLAT.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMS14(TE12L,Q,M) electronic components. CMS14(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMS14(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMS14(TE12L,Q,M) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CMS14(TE12L,Q,M)
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 60V 2A MFLAT
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 60V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 580mV @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200µA @ 60V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-128
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : M-FLAT (2.4x3.8)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYT79B-600PJ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

  • 1N914B A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array

  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV20 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • C5D10170H

    Cree/Wolfspeed

    10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A

  • SURA8260T3G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 2A SMA. Rectifiers REC SMA 2A 600V ULTFST TR