Ნაწილი ნომერი :
IPD50R1K4CEAUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
178pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
42W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63