Microsemi Corporation - JANTX1N6638

KEY Part #: K6444120

JANTX1N6638 ფასები (აშშ დოლარი) [6718ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.88775
  • 10 pcs$5.35186
  • 25 pcs$4.95047
  • 100 pcs$4.54908
  • 250 pcs$4.14769
  • 500 pcs$3.88010

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6638
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B. ESD Suppressors / TVS Diodes .3A ULTRA FAST 115V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6638 electronic components. JANTX1N6638 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6638, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6638 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6638
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/578
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 125V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 300mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 20ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 125V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : D, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-30WQ10FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.