BAS116,235 ფასები (აშშ დოლარი) [2788354ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01526
- 10,000 pcs$0.01518
- 30,000 pcs$0.01429
- 50,000 pcs$0.01339
- 100,000 pcs$0.01190
- Ნაწილი ნომერი:
- BAS116,235
- მწარმოებელი:
- Nexperia USA Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE LOW LEAKAGE TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS116,235 electronic components. BAS116,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116,235 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAS116,235
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
215mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.25V @ 150mA
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
3µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-236AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ცხელი ნაწილები
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18
选择你的位置