ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV25616BLL-10BLI

KEY Part #: K939392

IS61WV25616BLL-10BLI ფასები (აშშ დოლარი) [24994ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66320
  • 25 pcs$1.62689
  • 50 pcs$1.61790
  • 100 pcs$1.45096
  • 250 pcs$1.44553
  • 500 pcs$1.39230
  • 1,000 pcs$1.32372

Ნაწილი ნომერი:
IS61WV25616BLL-10BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA. SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, მეხსიერება - ბატარეები, PMIC - LED მძღოლები, ხაზოვანი - შემსრულებლები, სპეციალიზებული აივ and ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BLI electronic components. IS61WV25616BLL-10BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61WV25616BLL-10BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61WV25616BLL-10BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS61WV25616BLL-10BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 4Mb (256K x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 10ns
წვდომის დრო : 10ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.4V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-miniBGA (6x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.