აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 47.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 650µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
38.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2460pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 59W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-DFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN