თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. MB6M-G

Comchip Technology - MB6M-G

KEY Part #: K6540361

MB6M-G ფასები (აშშ დოლარი) [3763ცალი საფონდო]

  • 100 pcs$0.11489
Ნაწილი ნომერი:
MB6M-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBM.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology MB6M-G electronic components. MB6M-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MB6M-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MB6M-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MB6M-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MBM
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 800mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 800mA
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-DIP (0.157", 4.00mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MBM

Უახლესი ცნობები

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp

  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • DBL107G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • DBL106G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • TS25P07G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P. Bridge Rectifiers 25A 1000V Standard Bridge Rectif

ცხელი ნაწილები