Ნაწილი ნომერი :
SI2327DS-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
380mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
510pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
750mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3