Ნაწილი ნომერი :
SQM110N05-06L_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
110nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4440pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
157W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263 (D2Pak)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB