Taiwan Semiconductor Corporation - SS320 R7G

KEY Part #: K6442900

SS320 R7G ფასები (აშშ დოლარი) [341579ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10828

Ნაწილი ნომერი:
SS320 R7G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,200V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS320 R7G electronic components. SS320 R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS320 R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS320 R7G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SS320 R7G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 850mV @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AB, SMC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AB (SMC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-8EWS16STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.