Infineon Technologies - SPP80N06S2L-09

KEY Part #: K6413399

[13113ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SPP80N06S2L-09
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies SPP80N06S2L-09 electronic components. SPP80N06S2L-09 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP80N06S2L-09, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP80N06S2L-09 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SPP80N06S2L-09
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 52A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 125µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 105nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3480pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 190W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-1
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • RFD8P05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA.

    • RFD3055LESM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • RFD16N05LSM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.