Vishay Siliconix - SIZ342DT-T1-GE3

KEY Part #: K6524829

SIZ342DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [228300ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16282
  • 3,000 pcs$0.16201

Ნაწილი ნომერი:
SIZ342DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ342DT-T1-GE3 electronic components. SIZ342DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ342DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ342DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZ342DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : -
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 650pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 3.6W, 4.3W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-Power33 (3x3)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5852

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

  • IRF5810

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.

  • IRF5851

    Infineon Technologies

    MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP.

  • IRF5850

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP.

  • XP0487800L

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P.

  • PMGD400UN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP.