Vishay Siliconix - IRFR9210TRPBF

KEY Part #: K6393106

IRFR9210TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [185930ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19893
  • 2,000 pcs$0.16810

Ნაწილი ნომერი:
IRFR9210TRPBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR9210TRPBF electronic components. IRFR9210TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9210TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9210TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR9210TRPBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 170pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ