Microsemi Corporation - APTM120H140FT1G

KEY Part #: K6522571

APTM120H140FT1G ფასები (აშშ დოლარი) [2247ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$19.26652
  • 100 pcs$19.03968

Ნაწილი ნომერი:
APTM120H140FT1G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H140FT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTM120H140FT1G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 145nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3812pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 208W
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP1
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP1

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ