Ნაწილი ნომერი :
SP8M10FU6TB
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
FET ტიპი :
N and P-Channel
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
11.8nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
600pF @ 10V
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP