Ნაწილი ნომერი :
VP2206N3-G-P003
მწარმოებელი :
Microchip Technology
აღწერა :
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
640mA (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 10mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
450pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
740mW (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-92-3
პაკეტი / საქმე :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)