Ნაწილი ნომერი :
TPC8126,LQ(CM
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
56nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2400pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP (5.5x6.0)
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)