Diodes Incorporated - DMN3033LSDQ-13

KEY Part #: K6523388

DMN3033LSDQ-13 ფასები (აშშ დოლარი) [4181ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.09462

Ნაწილი ნომერი:
DMN3033LSDQ-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 electronic components. DMN3033LSDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3033LSDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3033LSDQ-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3033LSDQ-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 725pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ