Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA30PB120PBF

KEY Part #: K6441895

VS-HFA30PB120PBF ფასები (აშშ დოლარი) [5955ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.50914
  • 10 pcs$5.98382
  • 25 pcs$5.73562
  • 100 pcs$5.05360
  • 250 pcs$4.80557

Ნაწილი ნომერი:
VS-HFA30PB120PBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC. Rectifiers 1200V 30A HEXFRED TO-247 (2 LEAD)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA30PB120PBF electronic components. VS-HFA30PB120PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA30PB120PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA30PB120PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-HFA30PB120PBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
სერიები : HEXFRED®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 4.1V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 170ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 40µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-247-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AC Modified
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt