Ნაწილი ნომერი :
IPG20N06S415ATMA2
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
29nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2260pF @ 25V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TDSON-8-4