Vishay Siliconix - SISS10DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416195

SISS10DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [194625ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19005
  • 3,000 pcs$0.17846

Ნაწილი ნომერი:
SISS10DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 electronic components. SISS10DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS10DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS10DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SISS10DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (მაქს) : +20V, -16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3750pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ