თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. JAN1N5190

Microsemi Corporation - JAN1N5190

KEY Part #: K6427982

JAN1N5190 ფასები (აშშ დოლარი) [6888ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.01295
  • 100 pcs$5.98303
Ნაწილი ნომერი:
JAN1N5190
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5190 electronic components. JAN1N5190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5190 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5190
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/420
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 9A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 400ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : B, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Axial
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D012A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2.

  • V20PW45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

ცხელი ნაწილები