IXYS - IXFX32N100Q3

KEY Part #: K6394651

IXFX32N100Q3 ფასები (აშშ დოლარი) [4186ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.90218
  • 10 pcs$11.00986
  • 100 pcs$9.40309

Ნაწილი ნომერი:
IXFX32N100Q3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFX32N100Q3 electronic components. IXFX32N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX32N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX32N100Q3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX32N100Q3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9940pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ