Ნაწილი ნომერი :
NHPM120T3G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
500nA @ 200V
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-216AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Powermite
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C