თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. EPC2108

EPC - EPC2108

KEY Part #: K6524990

EPC2108 ფასები (აშშ დოლარი) [113220ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,500 pcs$0.34652
Ნაწილი ნომერი:
EPC2108
მწარმოებელი:
EPC
Დეტალური აღწერა:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in EPC EPC2108 electronic components. EPC2108 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2108, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2108 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EPC2108
მწარმოებელი : EPC
აღწერა : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
სერიები : eGaN®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET თვისება : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V, 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 9-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 9-BGA (1.35x1.35)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

ცხელი ნაწილები