Microsemi Corporation - APTGT100DH170G

KEY Part #: K6534083

[619ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTGT100DH170G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGT100DH170G electronic components. APTGT100DH170G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100DH170G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT100DH170G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTGT100DH170G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : Trench Field Stop
    კონფიგურაცია : Asymmetrical Bridge
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 150A
    ძალა - მაქსიმუმი : 560W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 100A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 350µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 9nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : SP6
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GB90DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 149A 862W SOT-227.

    • APTGF350DA60G

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 430A 1562W SP6.

    • APTGT100A120D1G

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.

    • APTGF90DU60TG

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4.

    • APTGF90A60T1G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1.

    • APTGF75H120TG

      Microsemi Corporation

      POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4.