თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. BYV29FD-600,118

WeEn Semiconductors - BYV29FD-600,118

KEY Part #: K6445325

BYV29FD-600,118 ფასები (აშშ დოლარი) [2147ცალი საფონდო]

  • 7,500 pcs$0.13455
Ნაწილი ნომერი:
BYV29FD-600,118
მწარმოებელი:
WeEn Semiconductors
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK. Rectifiers ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV29FD-600,118 electronic components. BYV29FD-600,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV29FD-600,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV29FD-600,118 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYV29FD-600,118
მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 9A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.9V @ 8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SS26SHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC.

  • BYG22A-E3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt

  • BYS10-45-E3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt

  • RS1A-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns

  • US1KHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM

  • RS1GHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM

ცხელი ნაწილები