Diodes Incorporated - DMT6010LSS-13

KEY Part #: K6403602

DMT6010LSS-13 ფასები (აშშ დოლარი) [142945ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.25875
  • 2,500 pcs$0.22901

Ნაწილი ნომერი:
DMT6010LSS-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8 TR 2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6010LSS-13 electronic components. DMT6010LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6010LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6010LSS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT6010LSS-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8 TR 2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2090pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD8782

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FDD6N50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.