Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS286-GS18

KEY Part #: K6458490

BAS286-GS18 ფასები (აშშ დოლარი) [1648534ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02244
  • 10,000 pcs$0.02060

Ნაწილი ნომერი:
BAS286-GS18
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 200mA 5.0 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS286-GS18 electronic components. BAS286-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS286-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS286-GS18 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAS286-GS18
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 900mV @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 40V
Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-80 Variant
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-80 QuadroMELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAS70-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS40-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA AUTO

  • BAS40-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA