RMLV0816BGSB-4S2#HA0 ფასები (აშშ დოლარი) [15176ცალი საფონდო]
- 1 pcs$3.01935
- Ნაწილი ნომერი:
- RMLV0816BGSB-4S2#HA0
- მწარმოებელი:
- Renesas Electronics America
- Დეტალური აღწერა:
- IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP. SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური and ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Renesas Electronics America RMLV0816BGSB-4S2#HA0 electronic components. RMLV0816BGSB-4S2#HA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMLV0816BGSB-4S2#HA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RMLV0816BGSB-4S2#HA0
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America
აღწერა :
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
SRAM
ტექნოლოგია :
SRAM
მეხსიერების ზომა :
8Mb (512K x 16)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
45ns
წვდომის დრო :
45ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.4V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
44-TSOP II
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
71V30S55TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM
-
AT28C256E-15SU
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
-
IS61LP6432A-133TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v
-
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
-
W29N04GZBIBA
Winbond Electronics
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8
-
W29N04GWBIBA
Winbond Electronics
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16
ცხელი ნაწილები
- W25P20VSNIG T&R
- AT27BV020-90JU
- AT49F040A-70TI-T
- AT49BV6416-70TU-T
- AT24C08AN-10SI-2.7-T
- AT25040AN-10SU-2.7
- CY7C1361B-117AC
- M27C256B-15B1
- AT49BV320T-90UI
- FM93C46EN
- AT28C17E-20JC
- AT27C1024-70VC
- NM27C010VE120
- R1RW0416DSB-2PR#B0
- W25Q64FVZPJQ TR
- W25Q128FVFJP TR
- MSP14LV164-E1-GH-001
- CG7925AM
- W632GU8AB-11
- EDB4064B3PD-8D-F-D
- CG7841AA
- LE26CAP08TT-BH
- W25Q16CVZPJG TR
- CY7C1380S-167BZCT
- M25P40-VMC6TGB TR
- 70V9289L9PRFI8
- MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A
- CY7C025-15AXI
- MT29F2G08ABBEAH4:E TR
- MT41K256M16HA-125 IT:E
- MT46H128M32L2MC-5 IT:A
- SST39WF1602-70-4I-MBQE
- CY7C1514SV18-250BZC
- MT46H16M32LFCX-5 IT:B
- M93C66-RMB6TG
- IDT71V416L12PH
- IS45S16400F-6BLA1-TR
- CY62167DV18LL-55BVXIT
- W97AH6KBQX2E
- MX30LF1208AA-XKI
选择你的位置