Ნაწილი ნომერი :
FCMT125N65S3
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
SF3 650V 125MOHM MOSFET
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 590µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
49nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1920pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
181W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
4-PQFN (8x8)
პაკეტი / საქმე :
4-PowerTSFN