თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. GB02SHT01-46

GeneSiC Semiconductor - GB02SHT01-46

KEY Part #: K6436631

GB02SHT01-46 ფასები (აშშ დოლარი) [2044ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$22.02528
  • 10 pcs$20.59554
  • 25 pcs$19.04793
  • 100 pcs$17.85739
Ნაწილი ნომერი:
GB02SHT01-46
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 100V 4A. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 electronic components. GB02SHT01-46 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SHT01-46, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SHT01-46 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GB02SHT01-46
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 100V 4A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 1A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-46
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 210°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDK02G65C5XTMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

  • IDK04G65C5XTMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

  • IDK03G65C5XTMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

  • VS-6EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Hyperfast 6A 600V 18ns

  • VS-6EWL06FNTRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3

  • VS-6EWX06FNTRLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3

ცხელი ნაწილები